GaN, o nitruro de galio, fue sintetizado por primera vez por el laboratorio George Herbert Jones en 1932. Fue reconocido instantáneamente por su baja sensibilidad a la radiación ionizante , lo que lo convierte en un material adecuado para paneles de células solares para satélites. Las aplicaciones militares y espaciales también podrían beneficiarse, ya que los dispositivos han demostrado estabilidad en entornos de alta radiación.

Con el paso del tiempo, exigimos cada vez mayor potencia de carga para nuestros dispositivos móviles. Sin embargo, el cargador de silicona tradicional no sería viable para una salida de alta potencia porque generaría un calor inmenso debido al hecho de que se perdió gran cantidad de energía durante el proceso de conversión.

GaN, debido a sus excelentes características físicas en esta materia, pronto se consideró para reemplazar el cargador de silicona. Ahora, la tecnología para el cargador de GaN ha progresado hasta el punto de que un cargador puede generar fácilmente más de 200 vatios con el tamaño de una lata de bebida.

La ventaja de tener un cargador de GaN es una mejor conversión de corriente alterna a corriente continua que los cargadores de silicio, permitiéndote cargar tus dispositivos móviles más rápido y brindándote una mayor eficiencia. Con los cargadores GaN, tus dispositivos consumirán menos energía y tendrán mejor resistencia al calor, lo que les permitirá durar más.

Como usuario norteamericano, se beneficiaría más de un cargador GaN de 65 vatios, si solo estuviera cargando teléfonos, tabletas y dispositivos portátiles; y 100 vatios si también necesita cargar una computadora portátil equipada con USB-C.

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